Dự án silica bốc khói chuyên dụng sản xuất 4.000 tấn chất lỏng đánh bóng CMP hàng năm

1 Bối cảnh dự án

Trong bối cảnh xung đột thương mại Trung-Mỹ ngày càng gay gắt, cuộc cạnh tranh giành quyền tự chủ kiểm soát vật liệu bán dẫn ngày càng gay gắt. Đặc biệt trong những năm gần đây, năng lực sản xuất mới của nước tôi đã trở thành nguồn tăng trưởng chính của các nhà máy toàn cầu, nhưng các nguyên liệu thô và thiết bị sản xuất quan trọng ở thượng nguồn hạn chế sự phát triển của ngành bán dẫn vẫn gần như do các công ty Mỹ và Nhật Bản độc quyền. Đó là việc phong tỏa thêm ngành công nghiệp chip, gần như là một đòn giáng mạnh vào sự phát triển của ngành bán dẫn nước ta. Vì vậy, vị trí chiến lược của nội địa hóa vật liệu bán dẫn đã được đề cao và việc đẩy nhanh quá trình thay thế nhập khẩu trong lĩnh vực vật liệu là xu hướng chung.

2 Mô tả sản phẩm

Đánh bóng cơ học hóa học CMP (ChemicalMechanicalPolishing) là sự kết hợp giữa ăn mòn hóa học và ma sát cơ học. Nó hiện là công nghệ làm mịn bề mặt vật liệu bán dẫn phổ biến nhất. Nó kết hợp các ưu điểm của ma sát cơ học và ăn mòn hóa học, từ đó tránh được hư hỏng bề mặt do đánh bóng cơ học đơn giản và tốc độ đánh bóng chậm, độ phẳng bề mặt và đánh bóng do đánh bóng hóa học đơn giản. Nhược điểm như tính nhất quán kém. Có thể thu được bề mặt wafer tương đối hoàn hảo.

Quốc tế thường chấp nhận rằng khi kích thước tính năng của thiết bị dưới 0,35μm, việc làm phẳng toàn cầu phải được thực hiện để đảm bảo độ chính xác và độ phân giải của việc truyền hình ảnh in thạch bản và CMP hiện gần như là công nghệ duy nhất có thể cung cấp khả năng làm phẳng toàn cầu. Sơ đồ nguyên lý của thiết bị của nó như sau:

Chất lỏng mài: chất lỏng được thêm vào trong quá trình mài. Kích thước hạt có liên quan đến các khuyết tật như vết xước sau khi nghiền. Hạt càng lớn thì thiệt hại cho wafer càng lớn và hạt càng nhỏ thì càng tốt. Dạng cơ bản bao gồm chất đánh bóng bột nano và dung dịch nước thành phần kiềm. Kích thước hạt là 1-

100nm, nồng độ là 1,5% -50%, thành phần cơ bản nói chung là KOH, amoniac hoặc amin hữu cơ và độ pH là 9,5-11.

Do độ tinh khiết cao của silica bốc khói, kích thước hạt nanomet ban đầu và sự phân bố kích thước hạt có thể kiểm soát được, SiO2 bốc khói trở thành chất mài mòn chính trong bùn đánh bóng oxit.

3 Vật liệu dự án:

Bột silicon kim loại, axit clohydric, hydro. Sản xuất hàng năm 1.000 tấn dự án titan dioxide pha khí nano Sản xuất hàng năm 20.000 tấn giấy đặc biệt dự án canxi cacbonat nhẹ đặc biệt Sản xuất hàng năm 1.000 tấn dự án BIPB (DCP không mùi) Tiếp tục nghiên cứu và phát triển

4. Cơ sở vật chất hỗ trợ dự án:

Khu công nghiệp hóa chất, hơi nước, điện, nước công nghiệp.

5. Ưu điểm kỹ thuật

Bằng sáng chế: Thiết bị sản xuất silicon dioxide và oxit kim loại bằng phương pháp pha khí

Bằng sáng chế: Thiết bị và quy trình sản xuất trichlorosilane và silicon tetrachloride có độ tinh khiết cao

6. Tổng vốn đầu tư của dự án là 150 triệu nhân dân tệ.

7. Diện tích dự án: 30 ha

8. Lợi ích kinh tế